강문성 교수 연구팀, 그래핀 전극을 활용한 새로운 적층형 트랜지스터구조 개발

강문성 교수

서강대 화공생명공학과

 서강대학교 화공생명공학과 강문성 교수와 공동연구진은 그래핀의 유도전하밀도변화를 국부적으로 유도하고, 이에 따라 파생되는 그래핀 전체의 표면전위변화를 활용하여 (아래그림 참조), 그래핀/반도체 계면에 직접 전계를 인가하지 않고서도 계면에서 형성되는 쇼트키장벽(Schottky barrier)의 높이를 제어할 수 있음을 확인하였다.  또한, 이러한 현상을 활용하여 3차원 집적이 보다 효율적으로 이루어질 수 있는 간단한 구조의 수직형 트랜지스터 구조를 제시하였다.

연구결과는 보다 고집적화를 요구하는 반도체 소자에 활용될 수 있는 차세대 기술로, 연세대학교 화학공학과 조정호 교수(본교 화학공학과 2001년 졸업)와의 공동연구로 진행되었으며, 최근 나노과학 분야 국제학술지 ACS Nano (Impact factor: 13.903)에 발표되었다. 또한 연구는 과학기술정보통신부 – 한국연구재단 (개인기초연구)의 지원으로 수행되었다.